DDR5 SO-DIMM Unbuffered

Samsung Samsung Enterprise SO-DIMM 32GB DDR5 2Rx8 5600MHz PC5-44800 M425R4GA3BB0-CWM

Samsung Enterprise SO-DIMM 32GB DDR5 2Rx8 5600MHz PC5-44800 M425R4GA3BB0-CWM

Part number: M425R4GA3BB0-CWM

Pamięć wewnętrzna: 32 GB

Opóźnienie CAS: 46

Prędkość zegara pamięci: 5600 MHz

Typ pamięci buforowej: Unregistered (unbuffered)

Typ pamięci wewnętrznej: DDR5

1 617,72 zł netto

1 989,80 zł brutto

24h Wysyłka w ciągu 24h

Dostępność:

10 szt.

Do koszyka

Samsung Samsung M425R4GA3BB0-CQK moduł pamięci 32 GB 1 x 32 GB DDR5 262-pin SO-DIMM

Samsung M425R4GA3BB0-CQK moduł pamięci 32 GB 1 x 32 GB DDR5 262-pin SO-DIMM

Part number: M425R4GA3BB0-CQK

Pamięć wewnętrzna: 32 GB

Opóźnienie CAS: 40

Prędkość zegara pamięci: 4800 MHz

Typ pamięci buforowej: Unregistered (unbuffered)

Typ pamięci wewnętrznej: DDR5

1 287,21 zł netto

1 583,27 zł brutto

Dostępność:

21-30 szt.

Do koszyka

Samsung Samsung Enterprise SO-DIMM 16GB DDR5 1Rx8 5600MHz PC5-44800 M425R2GA3BB0-CWM

Samsung Enterprise SO-DIMM 16GB DDR5 1Rx8 5600MHz PC5-44800 M425R2GA3BB0-CWM

Part number: M425R2GA3BB0-CWM

Pamięć wewnętrzna: 16 GB

Prędkość zegara pamięci: 5600 MHz

Typ pamięci wewnętrznej: DDR5

320,50 zł netto

394,22 zł brutto

Samsung Samsung M425R2GA3BB0-CQK moduł pamięci 16 GB 1 x 16 GB DDR5 262-pin SO-DIMM

Samsung M425R2GA3BB0-CQK moduł pamięci 16 GB 1 x 16 GB DDR5 262-pin SO-DIMM

Part number: M425R2GA3BB0-CQK

Pamięć wewnętrzna: 16 GB

Prędkość zegara pamięci: 4800 MHz

Typ pamięci buforowej: Unregistered (unbuffered)

Typ pamięci wewnętrznej: DDR5

262,84 zł netto

323,29 zł brutto

Samsung Samsung Enterprise SO-DIMM 8GB DDR5 1Rx16 5600MHz PC5-44800 M425R1GB4BB0-CWM

Samsung Enterprise SO-DIMM 8GB DDR5 1Rx16 5600MHz PC5-44800 M425R1GB4BB0-CWM

Part number: M425R1GB4BB0-CWM

Pamięć wewnętrzna: 8 GB

Prędkość zegara pamięci: 5600 MHz

Typ pamięci buforowej: Unregistered (unbuffered)

Typ pamięci wewnętrznej: DDR5

190,32 zł netto

234,09 zł brutto

Samsung Samsung M425R1GB4BB0-CQK moduł pamięci 8 GB 1 x 8 GB DDR5 262-pin SO-DIMM Korekcja ECC

Samsung M425R1GB4BB0-CQK moduł pamięci 8 GB 1 x 8 GB DDR5 262-pin SO-DIMM Korekcja ECC

Part number: M425R1GB4BB0-CQK

Pamięć wewnętrzna: 8 GB

Opóźnienie CAS: 40

Prędkość zegara pamięci: 4800 MHz

Typ pamięci buforowej: Unregistered (unbuffered)

Typ pamięci wewnętrznej: DDR5

141,02 zł netto

173,45 zł brutto

Bądź zawsze na bieżąco!

Zapisz się do newslettera i nie przegap żadnej promocji!

Naciskając „Zapisz się” wyrażasz zgodę na otrzymywanie informacji marketingowych na podany adres e-mail. Administratorem Twoich danych osobowych będzie Senetic SA z siedzibą w ul. Przewozowa 32, 44-100 Gliwice, Polska. Masz prawo żądania dostępu do danych osobowych oraz do ich sprostowania, usunięcia, lub ograniczenia przetwarzania, a także wniesienia sprzeciwu wobec przetwarzania. Szczegółowe informacje o przetwarzaniu danych osobowych znajdują się w polityce prywatności.

Niepoprawny adres e-mail.

Ten adres Email jest już potwierdzony.

Ten adres Email jest jeszcze niepotwierdzony.

Dziękujemy!

Sprawdź swoją skrzynkę - otrzymasz od nas wiadomość z prośbą o potwierdzenie zapisu do newslettera.

Portal dla resellerów

Wszystko czego szukasz

Dołącz do nas!

Microsoft

Pełna oferta rozwiązań Microsoft

Sprawdź korzyści

Please wait ...

Porównaj (0/4)